Semiconductor Device

简要说明了电子设备，电路，二极管，晶体管和交界处

* Semiconductor Device ，电子电路由既不是好的导体也不是好的绝缘子组成的材料。

* Semiconductor Device S不过是利用半导体材料的电子特性的电子组件，例如硅，锗和Arsenide以及有机半导体。

关键术语

o半导体

o二极管

o晶体管

o双极连接晶体管

o基础

o收藏家

o发射器

o集成电路

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应用程序中涵盖的一些主题是：

1。Haynes-Shockley实验

2。半导体材料

3。晶格

4。立方格

5。飞机和指示

6。钻石格子

7。散装晶体生长

8。单晶锭的生长

9。晶圆

10。外延生长

11。蒸气相外观

12。分子束外延

13。半导体中的电荷载体

14。有效质量

15。内在材料

16。外部材料

17。量子井中的电子和孔

18。费米级

19。补偿和空间费用中立

20。漂移和阻力

21。光吸收

22。光致发光

23。电致发光

24。载体寿命和光电导率

25。电子和孔的直接重组

26。间接重组；陷阱

27。稳态载体生成；准Fermi级别

28。光电传动设备

29。扩散过程

30。载体的扩散和漂移：内置字段

31。扩散和重组；连续性方程

32。稳态载体注入：扩散长度

33。准富尔米水平的梯度

34。载体浓度的温度依赖性

35。温度和掺杂对迁移率的影响

36。高场效应

37。大厅效应

38。PN连接的制造：热氧化

39。PN连接的扩散

40。快速热处理

41。离子植入

42。化学蒸气沉积（CVD）

43。光刻

44。蚀刻

45。金属化

46。平衡条件

47。平衡费米水平

48。在路口的空间充电

49。前向和反向偏见的连接

50。载体注入

51。反向偏置

52。反向偏差

53。泽纳分解

54。雪崩故障

55。整流器

56。故障二极管

57。瞬态和交流条件

58。反向恢复瞬态

59。理想的二极管模型

60。接触电势对载体注入的影响

61。切换二极管

62。PN连接的电容

63。过渡区域的重组和产生

64。欧姆损失

65。分级连接

66。金属半导体连接：Schottky壁垒

67。当前的运输过程

68。热发射理论

69。扩散理论

70。热发射扩散理论

71。纠正联系人

72。隧道电流

73。少数族裔注入

74。米斯隧道二极管

75。屏障高度的测量

76。激活能量测量

77。光电测量

78。欧姆联系人

每个主题都配有图形表示图，方程式和其他形式的图形表示，以更好地学习和快速理解。

半导体设备是各大学工程教育课程和技术学位课程的一部分。

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